GT700P08D3
GT700P08D3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

GOFORD GT700P08D3

  • 收藏
  • 对比

型号

GT700P08D3

品牌

GOFORD

utmel 编号

983-GT700P08D3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
GT700P08D3
GT700P08D3 GOFORD P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

GT700P08D3详情

GOFORD GT700P08D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (3x3)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    16A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Goford Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    69W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3.5V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    75mOhm @ 2A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1591 pF @ 40 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    75 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

GT700P08D3拓展信息

G4614
G4614

GOFORD

G180P06K
G180P06K

GOFORD

9N90
9N90

GOFORD

11N10
11N10

GOFORD

G17
G17

GOFORD

G1002
G1002

GOFORD

G075N06MI
G075N06MI

GOFORD

G800N06H
G800N06H

GOFORD

G2K2P10SE
G2K2P10SE

GOFORD

GT007N04TL
GT007N04TL

GOFORD

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z