GSI Technology GS8182S18BD-200

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaSIO DDR-II

Memory Types

DDR

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS8182S18BD-200

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.15

Part Package Code

BGA

系列

GS8182S18BD

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaSIO DDR-II

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

355 mA

组织结构

1 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm