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'2n6760'

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category.单MOSFET晶体管 (5)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料							厂商															Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	参考标准	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)	场效应管特性	达到SVHC	RoHS状态
		2N6760	HARRIS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-204AA, TO-3	TO-204AA	Harris Corporation	Bulk	5.5A (Tc)	10V	4W (Ta), 75W (Tc)	活跃						4V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)			-									MOSFET (Metal Oxide)									N-Channel		1.22Ohm @ 5.5A, 10V		39 nC @ 10 V		400 V	±20V											-
		2N6760	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		NO	2	2	SILICON	METAL	150 °C	无	2N6760		ROUND	Microsemi Corporation	1	Obsolete	MICROSEMI CORP	7.61	TO-3	5.5 A					FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT						e0				Tin/Lead (Sn/Pb)	HIGH RELIABILITY	8541.29.00.95	FET 通用电源		BOTTOM	PIN/PEG		O-MBFM-P2		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL		TO-204AA		5.5 A	1.22 Ω	22 A	400 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W		compliant
		2N6760	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	通孔	TO-204AA, TO-3	3	SILICON				5.5A Tc	10V	1	4W Ta 75W Tc		4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Bulk	1997			Obsolete	1 (Unlimited)	2		HIGH RELIABILITY	8541.29.00.95			BOTTOM	PIN/PEG		O-MBFM-P2		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	1.22 Ω @ 5.5A, 10V		39nC @ 10V	40ns	400V	±20V		5.5A		20V			22A	400V					Non-RoHS Compliant
		2N6760TXV	Harris Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-204AA	NO	TO-3	2	SILICON	5.5A (Tc)	10V	75W (Tc)	Non-Compliant	Harris Corporation	FLANGE MOUNT	METAL	2N6760TXV	ROUND	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.09	5.5 A			Bulk	活跃	4V @ 1mA	-55°C ~ 150°C (TJ)			-						辐射硬化				BOTTOM	PIN/PEG	MILITARY STANDARD (USA)	O-MBFM-P2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	1Ohm @ 3.5A, 10V	800 pF @ 25 V			400 V	±20V	N-CHANNEL		TO-204AA			1 Ω	8 A	400 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		-	unknown
		2N6760TXV	Renesas	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1