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技术文档
型号
HGT1S3N60C3D
品牌
Harris
utmel 编号
1050-HGT1S3N60C3D
商品类别
集成电路(IC)
封装
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA
起订量
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HGT1S3N60C3D详情
技术参数
Harris HGT1S3N60C3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
I2PAK (TO-262)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.65
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Reflow Temperature-Max (s)
Turn-off Time-Nom (toff)
325 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
5 ns
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
6 A
厂商
Harris Corporation
Product Status
Test Conditions
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HYPER FAST RECOVERY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
33 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 3A
集电极电流-最大值(IC)
IGBT类型
集电极-发射器电压-最大值
闸门收费
13.8 nC
集极脉冲电流(Icm)
24 A
Td(开/关)@25°C
开关能量
HGT1S3N60C3D拓展信息
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公司资质
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型号:CD4047BK/3
封装:--
品牌:Harris
库存:0
型号:CD4007AFB
型号:CD4512BD3
封装:16-CDIP (0.300, 7.62mm)
型号:CD54HCT4351F
型号:CD74FCT541CTM
封装:20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
型号:CD74FCT2245TM
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