HUF75321S3S
HUF75321S3S

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

HARRIS HUF75321S3S

  • 收藏
  • 对比

型号

HUF75321S3S

品牌

HARRIS

utmel 编号

1050-HUF75321S3S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
HUF75321S3S
HUF75321S3S HARRIS MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

HUF75321S3S详情

HARRIS HUF75321S3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 供应商器件包装

    D2PAK (TO-263)

  • Product Status

    Obsolete

  • Power Dissipation (Max)

    93W (Tc)

  • 厂商

    Harris Corporation

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    35A (Tc)

  • Package

    Tube

  • 系列

    UltraFET™

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    34mOhm @ 35A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    680 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    44 nC @ 20 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

HUF75321S3S拓展信息

RFM15N05L
RFM15N05L

Harris Corporation

HUF76132S3
HUF76132S3

Harris Corporation

RFD10N05SM
RFD10N05SM

Harris Corporation

RLD03N06CLE
RLD03N06CLE

Harris Corporation

RFM10N50
RFM10N50

Harris Corporation

RF1S530SM9A
RF1S530SM9A

Harris Corporation

HUF76129P3
HUF76129P3

Harris Corporation

HUF76121S3
HUF76121S3

Harris Corporation

IRF9522
IRF9522

Harris Corporation

JANSR2N7292
JANSR2N7292

Harris Corporation

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z