HUF75343G3
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HARRIS HUF75343G3

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型号

HUF75343G3

品牌

HARRIS

utmel 编号

1050-HUF75343G3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

0805 (2012 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 55V 75A TO247

起订量

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HUF75343G3 HARRIS MOSFET N-CH 55V 75A TO247

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HUF75343G3详情

HARRIS HUF75343G3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0805 (2012 Metric)

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    0805

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RN732A

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    Obsolete

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A (Tc)

  • Power Dissipation (Max)

    270W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250µA

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±10ppm/°C

  • 电阻

    649 Ohms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.1W, 1/10W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9mOhm @ 75A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3000 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    205 nC @ 20 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Moisture Resistant

  • 座位高度(最大)

    0.024 (0.60mm)

0个相似型号

HUF75343G3拓展信息

RFM15N05L
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HUF76132S3
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