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内地含税价

1

￥24.981002
10

￥23.566984
100

￥22.233002
500

￥20.974533
1000

￥19.787299

HARRIS RF1S640SM

Name: RF1S640SM
Brand: HARRIS
SKU: 1050-RF1S640SM
Price: 24.98 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RF1S640SM

品牌

HARRIS

utmel 编号

1050-RF1S640SM

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB

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RF1S640SM HARRIS MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB

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RF1S640SM详情

技术参数

HARRIS RF1S640SM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

TO-263AB
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)
厂商

Harris Corporation
Power Dissipation (Max)

125W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1275 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

200 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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