HARRIS RF1S640SM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

TO-263AB

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1275 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-