RFD14N05LSM9A
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HARRIS RFD14N05LSM9A

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型号

RFD14N05LSM9A

品牌

HARRIS

utmel 编号

1050-RFD14N05LSM9A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA

起订量

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RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A HARRIS MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA

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RFD14N05LSM9A详情

HARRIS RFD14N05LSM9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Panel

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252, (D-Pak)

  • RoHS

    Compliant

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V

  • 厂商

    Harris Corporation

  • Power Dissipation (Max)

    48W (Tc)

  • Product Status

    Obsolete

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2V @ 250µA

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 极数

    2

  • 断路器类型

    Magnetic (Hydraulic Delay)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 14A, 5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    670 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    40 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    50 V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

RFD14N05LSM9A拓展信息

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