HARRIS RFD3055

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件包装

I-PAK

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

厂商

Harris Corporation

Power Dissipation (Max)

53W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-