HARRIS RFP10P12

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

TO-220

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Tc)

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SXT224

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

类型

兆赫晶体

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率

22.1184 MHz

频率稳定性

±30ppm

ESR（等效串联电阻）

80 Ohms

负载电容

17pF

操作模式

Fundamental

频率容差

±15ppm

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

500mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

120 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

评级结果

-