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Harris Corporation DB1B

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型号

DB1B

utmel 编号

1050-DB1B

商品类别

二极管 - 桥式整流器

封装

4-Square, BR

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1A, 200V

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1最小包装量--

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DB1B Harris Corporation BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1A, 200V

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DB1B详情

Harris Corporation DB1B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    4-Square, BR

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    BR

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    4

  • 厂商

    Harris Corporation

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    R-PDIP-T4

  • Package Style

    IN-LINE

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Risk Rank

    5.7

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS INC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    4

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer Part Number

    DB1B

  • Rohs Code

  • 系列

    DB1

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T4

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    BRIDGE, 4 ELEMENTS

  • 二极管类型

    单相

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10 μA @ 200 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.1 V @ 1 A

  • 输出电流-最大值

    1 A

  • 平均整流电流(Io)

    1 A

  • 相位的数量

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    200 V

  • 最大非代表Pk前进电流

    50 A

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    200 V

0个相似型号

DB1B拓展信息

RURU150100
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Harris Semiconductor

RHRP860CC
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RURU80100
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Harris Semiconductor

RURP860C
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RURG30100CC
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RURD4120
RURD4120

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RURP840
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RURH15100CC
RURH15100CC

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RURD3060
RURD3060

Harris Semiconductor

RHRD440CCS
RHRD440CCS

Harris Semiconductor

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