Harris Corporation HGTA32N60E2
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HGTA32N60E2
1050-HGTA32N60E2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-218-5
大陆
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32A, 600V N-CHANNEL IGBT
1最小包装量--
HGTA32N60E2详情
Harris Corporation HGTA32N60E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-218-5
供应商器件包装
TO-218-5
厂商
Harris Corporation
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Test Conditions
-
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型
Standard
功率 - 最大
208 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 32A
IGBT类型
-
闸门收费
265 nC
集极脉冲电流(Icm)
200 A
Td(开/关)@25°C
-
开关能量
-
HGTA32N60E2拓展信息
Harris Corporation
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