Harris Corporation IRFR321

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

Harris Corporation

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A (Ta)

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFR321

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

3.1 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

350 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

350 V

雪崩能量等级（Eas）

190 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown