2SK439-F
2SK439-F

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Hitachi Ltd 2SK439-F

  • 收藏
  • 对比

型号

2SK439-F

utmel 编号

1094-2SK439-F

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
2SK439-F
2SK439-F Hitachi Ltd RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SK439-F详情

Hitachi Ltd 2SK439-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    HITACHI LTD

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-W3

  • Drain Current-Max (ID)

    0.03 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSIP-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 最高频段

    甚高频段

0个相似型号

技术文档: Hitachi Ltd 2SK439-F.

2SK439-F拓展信息

2SK2113YY-TL
2SK2113YY-TL

Hitachi Ltd

2SK1809
2SK1809

Hitachi Ltd

2SK2737
2SK2737

Hitachi Ltd

2SK1862
2SK1862

Hitachi Ltd

2SK1832
2SK1832

Hitachi Ltd

2SJ186CYTR
2SJ186CYTR

Hitachi Ltd

2SK2113YY-TR
2SK2113YY-TR

Hitachi Ltd

2SJ548
2SJ548

Hitachi Ltd

3SK233XW
3SK233XW

Hitachi Ltd

2SK2796S
2SK2796S

Hitachi Ltd

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z