Hitachi Ltd H5N2510DL
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H5N2510DL
1094-H5N2510DL
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
1最小包装量--
H5N2510DL详情
Hitachi Ltd H5N2510DL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Drain Current-Max (ID)
5 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.97 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
H5N2510DL拓展信息
Hitachi Ltd
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