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HUAYI HY1607P

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对比

型号

HY1607P

品牌

utmel 编号

2924-HY1607P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

68V 80A 6.8mΩ@10V,40A 115W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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HY1607P

HY1607P HUAYI 68V 80A 6.8mΩ@10V,40A 115W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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HY1607P详情

技术参数

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HUAYI HY1607P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

68V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

6.8mΩ@10V,40A
Power Dissipation (Pd)

115W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

277pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

3.203nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

84nC@10V
Package

Tube-packed
操作温度

-55℃~+175℃@(Tj)
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

80A

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