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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥3.158942
10
¥2.980138
100
¥2.811445
500
¥2.652309
1000
¥2.50218
型号
HY3010B
品牌
HUAYI
utmel 编号
2924-HY3010B
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
100V 100A 10mΩ@10V,50A 192W 3V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
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HY3010B详情
技术参数
HUAYI HY3010B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
100V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
10mΩ@10V,50A
Power Dissipation (Pd)
192W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
260pF@25V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
3.1nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
76nC@10V
Package
Tape & Reel (TR)
类型
1 N-channel
Continuous Drain Current (Id)
100A
HY3010B拓展信息
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公司资质
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型号:HYG025N06LS1P
封装:--
品牌:HUAYI
库存:0
型号:HYG053N10NS1D
型号:HYG030N03LQ1C2
型号:HYG060P04LQ1D
型号:HYG043N10NS2B
型号:HY1920B
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