Infineon 2N6802

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N6802

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.6 Ω

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W