BC846BWH6327XT
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Infineon BC846BWH6327XT

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型号

BC846BWH6327XT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BC846BWH6327XT

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BC846BWH6327XT
BC846BWH6327XT Infineon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BC846BWH6327XT详情

Infineon BC846BWH6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC846BWH6327XT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.55

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 附加功能

    低噪音

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    200

  • 集电极-发射器电压-最大值

    65 V

0个相似型号

技术文档: Infineon BC846BWH6327XT.

BC846BWH6327XT拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
BCR185WE6327

Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

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