Infineon BC847PNE6433

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Number of Elements

2

Voltage Rating (DC)

45 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

BC847PNE6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.33

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

频率

250 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

元素配置

Dual

功率耗散

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250 MHz

极性/通道类型

NPN和PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

250 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

110

集电极-发射器电压-最大值

45 V

无铅

无铅