Infineon BC857BE6327XT

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

330 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

220

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

45000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

250 MHz

Part # Aliases

BC SP000010633 857B E6327 BC857BE6327HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

200 mA

DC Current Gain hFE Max

475

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

BC857BE6327XT

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.54

包装

Reel

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极基极电压(VCBO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

连续集电极电流

100 mA

集电极-发射器电压-最大值

45 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT