BC858BWE6327详情
Infineon BC858BWE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
供应商器件包装
PG-SOT323-3-1
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
BC858BWE6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.01
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
250 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
频率转换
250MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
0.65 V
环境耗散-最大值
0.25 W
BC858BWE6327拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
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