Infineon BCP51-16E6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Voltage Rating (DC)

-45 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

125 MHz

Manufacturer Part Number

BCP51-16E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1 A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

2

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

125 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

转换频率

125

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

45 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

45 V

无铅

无铅