Infineon BCP69-25E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT223-4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BCP69-25E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.02

操作温度

150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver (Ag)

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

转换频率

100

频率转换

100MHz

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

160

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

20 V