Infineon BCR108WE6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

PG-SOT323-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

70

Voltage Rating (DC)

-50 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

170 MHz

Manufacturer Part Number

BCR108WE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.47

包装

卷带

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

功率 - 最大

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

转换频率

170 MHz

频率转换

170 MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

70

电阻基(R1)

2.2 kOhms

连续集电极电流

100

电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

无铅

无铅