Infineon BCR116SE6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT363-6-1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

BCR116SE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.8

系列

Automotive, AEC-Q101

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

150MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

70

电阻基(R1)

4.7kOhms

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V