Infineon BCR133E6327XT

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

200 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Unit Weight

0.000282 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

39000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

133 BCR E6327 SP000010757 BCR133E6327HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Transition Frequency-Nom (fT)

130 MHz

Manufacturer Part Number

BCR133E6327XT

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.38

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

100 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

辐射硬化

无

无铅

无铅