Infineon BCR169WE6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

供应商器件包装

PG-SOT323-3-1

Transistor Polarity

PNP

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

120

Voltage Rating (DC)

-50 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

包装

卷带

系列

Automotive, AEC-Q101

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

额定电流

-100 mA

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

250 mW

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

转换频率

200 MHz

频率转换

200 MHz

电阻基(R1)

4.7 kOhms

连续集电极电流

100

无铅

无铅