Infineon BCR22PNE6433

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

50

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

130 MHz

Manufacturer Part Number

BCR22PN-E6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.49

包装

卷带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

子类别

BIP 通用小信号

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

130 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

50 V

无铅

无铅