Infineon BCV29E6327

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

hFEMin

4000

Voltage Rating (DC)

30 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

BCV29E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.2

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1 W

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

500 mA

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

500 mA

转换频率

150 MHz

最大击穿电压

30 V

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

4000

集电极-发射器电压-最大值

30 V

无铅

无铅