Infineon BCX5616E6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

25

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BCX56-16E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.17

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

1 A

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

电压

80 V

元素配置

Single

电流

1 A

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

80 V

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

无铅

无铅