Infineon BDP949E6327

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

60 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BDP949-E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.54

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

额定电流

3 A

频率

100 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

5 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

3 A

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

60 V

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

3 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

无铅

无铅