Infineon BFG135AE6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15 V

hFEMin

80

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

6000 MHz

Manufacturer Part Number

BFG135AE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.36

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

6 GHz

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

6 GHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

150 mA

增益

14 dB

转换频率

6 GHz

集电极基极电压(VCBO)

25 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

2 V

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

15 V

最高频段

L带

集电极-基极电容-最大值

1.8 pF