BFN39E6327
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Infineon BFN39E6327

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型号

BFN39E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BFN39E6327

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFN39E6327
BFN39E6327 Infineon Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFN39E6327详情

Infineon BFN39E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 供应商器件包装

    SOT-223

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    200 mA

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    1.5 W

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    40 @ 10mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 2mA, 20mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    300 V

  • 频率转换

    100MHz

  • 连续集电极电流

    200

0个相似型号

技术文档: Infineon BFN39E6327.

BFN39E6327拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
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BCX5316E6327
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BCR185WE6327
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BCR185SE6327
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