注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Infineon BFR181WH6327XT

Name: BFR181WH6327XT
Brand: Infineon
SKU: 1211-BFR181WH6327XT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

BFR181WH6327XT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BFR181WH6327XT

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

BFR181WH6327XT Infineon RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

BFR181WH6327XT详情

技术参数

PDF文档

Infineon BFR181WH6327XT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
Transistor Polarity

NPN
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

175 mW
集电极发射器电压(VCEO)

12 V
最大集电极电流

20 mA
集电极基极电压(VCBO)

20 V
连续集电极电流

20

0个相似型号

BFR181WH6327XT拓展信息

热销零件