Infineon BSC030N03MSG &&&&&&&&&&&

安装类型

Surface Mount, Wettable Flank

包装/外壳

40-UFQFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

40-QFN (6x6)

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of I/Os

34

Package

Tray

Base Product Number

CY8C4147

厂商

Infineon Technologies

Data Converters

A/D 16x10b, 20x12b SAR

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

19 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

69 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004250 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

48 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSC3N3MSGXT SP000311506 BSC030N03MSGATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

73 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

2.5 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

23 ns

Id - Continuous Drain Current

100 A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A (Ta), 122A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC030N03MSG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.64

Drain Current-Max (ID)

21 A

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

系列

Automotive, AEC-Q100, PSOC® 4 CY8C4100

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

振荡器类型

External, Internal

速度

24MHz

内存大小

16K x 8

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

1.71V ~ 5.5V

核心处理器

ARM® Cortex®-M0+

箱体转运

DRAIN

周边设备

Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT

程序存储器类型

FLASH

芯尺寸

32-Bit

程序内存大小

128KB (128K x 8)

连接方式

FIFO, I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5700 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

EEPROM 大小

-

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0038 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

69 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm