Infineon BSC050N03LSGXT

包装/外壳

TDSON-8

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TDSON-8-5

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

5.2 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

50 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004370 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

38 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSC050N03LS G SP000269785 BSC050N03LSGATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

35 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

4.2 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

21 ns

Id - Continuous Drain Current

80 A

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Ta), 80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC050N03LSGXT

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.82

Drain Current-Max (ID)

18 A

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 3

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V

上升时间

4 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.0075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

35 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm

达到SVHC

compliant