Infineon BSL307SPL6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-30 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

36.4 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSL307SPL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.15

Part Package Code

TSOP

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

-5.5 A

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

接通延迟时间

7.3 ns

上升时间

8.4 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.5 A

阈值电压

-1.5 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.043 Ω

漏源击穿电压

-30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

输入电容

805 pF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

漏源电阻

43 mΩ

最大rds

43 mΩ

栅源电压

-1.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅