BSM100GB170DN2
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Infineon BSM100GB170DN2

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型号

BSM100GB170DN2

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSM100GB170DN2

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, HALF-BRIDGE 2, 7 PIN

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BSM100GB170DN2
BSM100GB170DN2 Infineon Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, HALF-BRIDGE 2, 7 PIN

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BSM100GB170DN2详情

Infineon BSM100GB170DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Manufacturer Part Number

    BSM100GB170DN2

  • Manufacturer

    Infineon

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.82

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Dual

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    7

  • 最大耗散功率(Abs)

    1000 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    145 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.9 V

  • 高度(毫米)

    30.5 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon BSM100GB170DN2.

BSM100GB170DN2拓展信息

SMBT3906SE6327
BFP740E6327
BFP740E6327

Infineon

BCX5316E6327
BCX5316E6327

Infineon

BCR185WE6327
BCR185WE6327

Infineon

SKP04N60
SKP04N60

Infineon

BCR185SE6327
BCR185SE6327

Infineon

IHW40T60
IHW40T60

Infineon

IHW15T120
IHW15T120

Infineon

FS400R07A1E3
FS400R07A1E3

Infineon

BCV48E6327
BCV48E6327

Infineon

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