Infineon BSM100GD120DN2

包装/外壳

EconoPACK 3A

表面安装

NO

终端数量

39

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSM100GD120DN2

Manufacturer

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

680 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Continuous Collector Current at 25 C

150 A

Mounting Styles

底座安装

Part # Aliases

SP000100365 BSM100GD120DN2BOSA1

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-T39

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

240 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

470 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.15

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

Six-Pack

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

39

JESD-30代码

R-XUFM-T39

资历状况

不合格

配置

Hex

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT模块

最大耗散功率(Abs)

680 W

集电极电流-最大值(IC)

150 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3.2 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

62 mm

高度

17 mm

长度

122 mm

高度(毫米)

20.5 mm