Infineon BSM200GA120DN2

包装/外壳

62 mm

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSM200GA120DN2

Manufacturer

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

1550 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Unit Weight

1 lb

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Continuous Collector Current at 25 C

300 A

Mounting Styles

底座安装

Part # Aliases

SP000100725 BSM200GA120DN2HOSA1

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Package Description

MODULE-5

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

210 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

630 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.69

Part Package Code

MODULE

包装

Tray

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Single

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

电路型态

Single IGBT

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT模块

最大耗散功率(Abs)

1550 W

集电极电流-最大值(IC)

550 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3.2 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

61.4 mm

高度

36.5 mm

长度

106.4 mm

高度(毫米)

36.5 mm