Infineon BSM200GB120DN2

包装/外壳

Half Bridge2

表面安装

NO

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSM200GB120DN2

Manufacturer

Infineon

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

RoHS

Details

Brand

Infineon Technologies

Part # Aliases

SP000014913 BSM200GB120DN2HOSA1

Mounting Styles

底座安装

Continuous Collector Current at 25 C

290 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.4 kW

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

190 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

630 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.14

Part Package Code

MODULE

包装

Tray

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Dual

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

半桥

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT模块

最大耗散功率(Abs)

1400 W

集电极电流-最大值(IC)

290 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3.2 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块

宽度

61.4 mm

长度

106.4 mm

高度

30 mm

高度(毫米)

30.5 mm