Infineon BSM25GB120DN2

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

供应商器件包装

Module

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

38 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

MODULE-7

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

140 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

470 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSM25GB120DN2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Part Package Code

MODULE

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

半桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

200 W

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

800 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

200 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

25 A

连续集电极电流

38

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

1.65 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

3 V