Infineon BSP125L6433

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

0.12

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

20 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 94µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP125L6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.62

Drain Current-Max (ID)

0.12 A

包装

卷带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

42 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

120 mA

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6 nC @ 10 V

上升时间

14.4 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

120 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.12 A

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.48 A

输入电容

420 pF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

漏源电阻

45 Ω

最大rds

300 mΩ

达到SVHC

compliant

无铅

无铅