Infineon BSP373 L6327

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

厂商

Infineon Technologies

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A (Ta)

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP373L6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.78

Drain Current-Max (ID)

1.7 A

系列

pushPIN™

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

顶部安装

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

1.181 (30.00mm)

强制空气流动时的热阻

9.58°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 1.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.8 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

宽度

0.984 (25.00mm)

长度

0.984 (25.00mm)

直径

--

达到SVHC

compliant