Infineon BSP62E6327

包装/外壳

SOT-223

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

1000

Unit Weight

0.003951 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

SP000011133 BSP62E6327HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

1000

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300 V

hFEMin

1000

Voltage Rating (DC)

-80 V

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

BSP62E6327

Turn-on Time-Max (ton)

400 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Turn-off Time-Max (toff)

1500 ns

Risk Rank

5.5

系列

BSP62

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1.5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1 A

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

单双集电极

电压

80 V

电流

1 A

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

PNP

产品类别

达林顿晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

500 mA

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

80 V

集电极基极电压(VCBO)

90 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

2000

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

达林顿晶体管

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

长度

6.5 mm

无铅

无铅