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Infineon BTS114ANKSA1

Name: BTS114ANKSA1
Brand: Infineon
SKU: 1211-BTS114ANKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BTS114ANKSA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS114ANKSA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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BTS114ANKSA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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BTS114ANKSA1详情

技术参数

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Infineon BTS114ANKSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

BTS114ANKSA1
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.68
Drain Current-Max (ID)

17 A
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68 A
DS 击穿电压-最小值

50 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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