BTS114ANKSA1
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Infineon BTS114ANKSA1

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型号

BTS114ANKSA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS114ANKSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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BTS114ANKSA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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BTS114ANKSA1详情

Infineon BTS114ANKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    BTS114ANKSA1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.68

  • Drain Current-Max (ID)

    17 A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.1 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    68 A

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Infineon BTS114ANKSA1.

BTS114ANKSA1拓展信息

IRFR6215TRPBF
IRFR6215TRPBF

Infineon Technologies

IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

Infineon Technologies

IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

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