BTS115A详情
Infineon BTS115A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
50 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
70 ns
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15.5A (Tc)
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Package Description
TO-220AB, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BTS115A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.31
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
15.5 A
系列
Alliance Plastics, BTS
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
逻辑电平兼容
最大功率耗散
50 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
额定电流
15.5 A
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
50 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
50 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
15.5 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
漏源击穿电压
50 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
62 A
输入电容
735 pF
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
120 mΩ
最大rds
120 mΩ
长度
15.4 mm
BTS115A拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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